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中低压场效应管
MegaPower Semiconductor 2015年4月成立,公司致力於功率半導體分立器件、模擬器件的設計和銷售,研發中心設立於台灣新竹科學園區內
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Type
ESD
Diode
VDS
(V)
VGS
(±V)
RDS(ON) (mΩ max) at VGS=
Qg
(nC)
IDS (A) Max.
PD (W) Max.
Date
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Samples
Order
10V
4.5V
2.5V
1.8V
25°C
70°C
25°C
70°C
MI6920NH
MI6920NH
TSSOP-8
Dual
N
No
20
8
22
30
48
8
6.8
5.5
1.5
1
MI6900NHE
MI6900NHE
TSSOP-8
Dual
N
Yes
16
8
11
13
21
9.6
7.8
1.5
1
MI6544C
MI6544C
TSSOP-8
Complementary
P
No
-30
20
52
80
8
3.8
3
1.14
0.73
MI6544C
MI6544C
TSSOP-8
Complementary
N
No
30
20
32
46
4.7
4.3
3.5
1.14
0.73
MI6520C
MI6520C
TSSOP-8
Complementary
P
No
-20
8
47
72
95
12
2.1
1.3
MI6520C
MI6520C
TSSOP-8
Complementary
N
No
20
8
47
66
95
7
4.7
3.8
2.1
1.3
MI6441P
MI6441P
TSSOP-8
Single
P
No
-40
20
28
45
16
6.6
5.4
1.8
1.2
MI6411P
MI6411P
TSSOP-8
Single
P
No
-20
12
13
19
35
55
9.5
7.7
1.8
1.2
MIS932N
MIS932N
DFN3X3EP
Dual N Asymmetric
N
No
30
20
8.5
15.5
11
15
10
2.5
1.3
MIS930N
MIS930N
DFN3X3EP
Asymmetric N
N
No
30
20
15
11
10.2
7.4
2.5
1.3
MIS930N
MIS930N
DFN3X3EP
Asymmetric N
N
No
20
8
24
7
7.7
5.6
2.5
1.3
MIS560C
MIS560C
DFN3X3EP
Complementary
P
No
-60
20
80
105
10
4.6
3.3
2.5
1.3
共1819条 共152页 每页12条
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